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　　以下是關于"重慶紫外老化試驗箱"的相關資料,請參考:

　　艾思荔生產的重慶紫外老化試驗箱參照標準：IEC61215：2005、IEC61646：2008、IEC61345：1998、ASTM D4329、D499、D4587、D5208、G154、G53;ISO 4892-3、ISO 11507;EN 534;prEN 1062-4、 BS 2782;JIS D0205;SAE J2020等試驗標準。本標準等同采用IEC 61345：1998《紫外(PV)試驗》。

　　重慶紫外老化試驗箱技術指標www.asli163.cn

　　1、工作室尺寸： 450×1170×500㎜;

　　2、外形尺寸：580×1280×1450㎜;

　　3、溫度范圍：RT+10℃～70℃;

　　4、濕度范圍：90～98%R·H;

　　5、濕度均勻度： ±2%;

　　6、溫度均勻度：±2℃;

　　7、溫度波動度：±0、5℃;

　　8、濕度波動度：±2%;

　　9、控溫方式：PID自整定控溫方式;

　　10、燈中心距離：70㎜;

　　11、樣品與燈中心距離：50㎜;

　　12、標準試件尺寸：75×150㎜或75×300㎜(特殊規(guī)格需在合同中說明);

　　13、水槽水深要求：25㎜，自動控制;

　　14、有效輻照區(qū)域：900×210㎜;

　　15、紫外線波長：UV-A波長范圍為315-400nm;UV-B波長范圍為280-315nm;

　　16、試驗時間：0～999H 可調;

　　17、黑板溫度：40℃～65℃;

　　18、紫外光、凝露時間交替可調;

　　重慶紫外老化試驗箱箱體結構：www.lrcjy.com

　　1、箱體外殼材料：SUS不銹鋼板噴塑處理;

　　2、內膽材料：SUS不銹鋼板;

　　3、箱蓋材料：SUS不銹鋼板噴塑處理;

　　4、在工作室的兩邊共安裝8支UV-A或UV-B的紫外燈管;

　　5、加熱方式為內膽水槽式加熱，升溫快，溫度分布均勻;

　　6、箱蓋為雙向翻蓋式 ，開閉輕松自如;

　　7、內膽水位自動補水，防止加熱管空燒損壞;

　　8、試樣架由不銹鋼或鋁合金制成;

　　9、試驗箱底部采用高品質可固定式PU活動輪;

　　10、排水系統(tǒng)使用回渦型及U型積沉裝置排水;

　　11、試樣表面與紫外燈平面相平行;

　　12、噴淋型設備內部安裝有自動噴頭，水壓可調;

　　13、如果燈管在亮時，箱體的門一旦被打開，機器將自動切斷燈管供電，并自動進入平衡狀態(tài)冷卻，以免人體受到傷害;

　　14、箱內超溫保護，箱內溫度過高時機器將自動切斷電源，并進入平衡狀態(tài)冷卻。

　　重慶紫外老化試驗箱電路控制系統(tǒng)

　　1、日本RKC溫控儀，控制精度±0、1℃;

　　2、薄膜式 KEY BOARD按鍵;

　　3、溫度控制均采用P 、I 、D +S 、S 、R，系統(tǒng)同頻道協(xié)調控制，可提高控制元件與界面使用之穩(wěn)定性及壽命;

　　4、觸控式設定、數(shù)位及直接顯示;

　　5、具有P 、I 、D 自動演算之功能，可減少人為設定時帶來之不便;

　　6、光照和冷凝可獨立控制也可以交替循環(huán)控制;

　　7、光照和冷凝的獨立控制時間和交替循環(huán)控制的時間可在一千小時內任意設置;

　　8、在運轉或設定中，如發(fā)生錯誤時，會提供警示迅號;

　　9、法國“施耐德”元器件;

　　10、菲利浦整流器和啟輝器(保證每次開機均可點亮紫外燈);

　　重慶紫外老化試驗箱濕氣循環(huán)：

　　隨著溫度的提高，潮濕對材料的破壞力會急劇增加。因此在潮濕曝曬過程中，溫度控制是基本的要求。更進一步說，要產生加果，就要求在潮濕曝曬過程中保持高溫環(huán)境。在設備中冷凝過程溫度設置可以是從40℃到60℃中的任何一點。

　　重慶紫外老化試驗箱溫度控制UV循環(huán)：

　　一級的光化學反應對溫度變化并不敏感。然而，隨之而來的二級反應的速度則和溫度變化緊密相關。一般來說，隨著溫度升高，反應速度會加快。因此，在UV曝曬試驗過程中，溫度控制就顯得很重要，更重要的是要將加速試驗所采用的試驗溫度與材料在實際應用中遭遇的高溫度相匹配。在設備中UV的溫度設置可以是從50℃到80℃中的任何一點，具體取決于光照度水平和室內環(huán)境氣溫。設備的溫度調節(jié)是通過具有微電腦演算功能的控制器來指揮設備內諸如空氣加熱器、水加熱器、等一系列系統(tǒng)來完成。

　　重慶紫外老化試驗箱用途：

　　重慶紫外老化試驗箱又名氙燈紫外線試驗箱(艾思荔13538469076/QQ：2850687970)適用于評估儲存聚合材料和保護層等材料抗紫外輻照性能。主要應用于光伏行業(yè)，及太陽能行業(yè)。用于測試，主要是單晶硅組件，地面用晶硅，地面用薄膜等一系列進行紫外光加速耐候試驗，可以再現(xiàn)陽光所產生的破壞。

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